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Latest news reports on the IPDiA-Leti Common Lab results

2013-10-10

Leti and IPDiA are proud to unveil a new worldwide record in capacitance density.

GRENOBLE, France – April 10, 2012 – CEA-Leti and IPDiA report to overcome a crucial step toward market deployment of a new generation of 3D high-density capacitor achieving 550nF/mm2 

In less than two years, CEA-Leti and IPDiA, within the PRIIM project funded by OSEO, are successfully developing a new process based on deposition of atomic medium-K dielectric layers into the aggressive architectures of IPDiA’s 3D dimensional metal-insulator-metal capacitors. The atomic layer deposition (ALD) is a key process technology to enable conformal coating of high aspect ratio surfaces and to enable exact thickness control on atomic level. A capacitance density of 550nF/mm2 has been obtained by keeping leakage current and parasitic levels as low as in the 250nF/mm2 PICS3 product.

 

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Derniers résultats du laboratoire commun IPDiA-Leti

IPDiA et le Leti réalisent un nouveau record mondial en matière de densité de capacité.

Le 10 avril 2012 - IPDiA et le CEA-Leti affirment avoir franchi une étape cruciale pour le développement du marché grâce à une nouvelle génération de condensateurs 3D haute-densité atteignant 550nF/mm2.

En moins de deux ans, le CEA-Leti et IPDiA ont développé avec succès, au sein du programme PRIIM financé par OSEO, un nouveau procédé basé sur le dépôt des couches diélectriques de milieu atomique K dans les architectures agressives des condensateurs 3D métal-isolant-métal de IPDiA. Le dépôt d’une couche atomique est un procédé technologique essentiel pour permettre des opérations d'enduction conformes sur des surfaces ayant un rapport de forme élevé ainsi que le contrôle exact de l’épaisseur à l’échelle atomique. Une densité capacité de 550nF/mm2 a été atteinte en limitant autant que possible les courants de fuite et les éléments parasites, tout comme dans le produit PICS3 de 250nF/mm2.

 

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